山梨大学
大学院 総合研究部 工学域
電気電子情報工学系(電気電子工学)

顔写真
教授

矢野 浩司

ヤノ コウジ
Yano Koji

学歴

  1. 静岡大学 1993/03/31

学位

  1. 工学修士 静岡大学
  2. 博士(工学) 静岡大学

研究分野

  1. 電力工学・電気機器工学 半導体工学

研究キーワード

  1. パワーデバイス
  2. デバイスシミュレーション

研究テーマ

  1. パワーデバイスの研究・開発

論文

  1. 研究論文(学術雑誌) 共著 Extremely Low ON-Resistance SiC Cascode Configuration Using Buried-Gate Static Induction Transistor Koji Yano , Yasunori Tanaka, and Masayuki Yamamoto, Member, IEEE IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS IEEE Vol.39/ No.9, 1892-1895 2018/11/23 0741-3106 10.1109/LED.2018.2878933 A 35-A cascode configuration of a drain-to- source breakdown voltage of 978 V utilizing an silicon carbide (SiC) buried gate static induction transistor (BGSIT) and low voltage Si-MOSFET (SiC-BGSIT cascode) has been experimentally demonstrated for the first time. The SiC-SIT is mounted with the Si-MOSFET in an originally designed resin4pinpackage.TheON-resistanceRDS(ON) ofthisdevice exhibits 34.3 m at room temperature, which is 50% of the commercial SiC MOSFET of the similar rating. The tempera- ture dependence of RDS(ON) and gate threshold voltage has been revealed. It has been suggested that when compared with the SiC-JFET cascode with the similar rating, the BGSIT cascode has a soft dVds/dt property with a relatively small switching loss.
  2. 研究論文(国際会議プロシーディングス) 共著 Influence of negative voltage between gate and emitter to the turnoff behavior of IGBT device Fumio Yukawa, Taku Takaku, Naoto Fujisawa, Seiki Igarashi, Koji Yano PCIM Asia 2018 1-6 2018/06/26 IGBTのゲート外付け抵抗Rgおよびゲート負電圧に対するスイッチング特性依存性について検討した。Rgの低下に伴いdVce/dtの依存性が殆ど無くなることが明らかになった
  3. 研究論文(国際会議プロシーディングス) 共著 A novel gate drive circuit for high speed turn-on switching of ultra-low feedback capacitance SiC-VJFET N.Kikuchi, T.Ishikawa, K. Yano and Y. Tanaka Proceedings of International conference on Eeectrical machines and systems (ICEMS) 2017/08/11 遮蔽グリッド構造を導入した超高速SiCパワーJFETを電力変換器に使用し、電力変換効率などの性能を評価した。同JFETは駆動には我々が提案した高速の駆動回路を適用した。
  4. 研究論文(学術雑誌) 共著 An Average Input Current Sensing Method of LLC Resonant Converters for Automatic Burst Mode Control J.Chen, T. Sato, K. Yano, H. Shiroyama, M. Owa, and M. Yamadaya IEEE Transactions Power Electronics 3263-3272 2017/04/01
  5. 研究論文(国際会議プロシーディングス) 共著 An Average Input Current Sensing Method of LLC Resonant Converters for Overload Protection J.Chen, T. Sato, K. Yano, H. Shiroyama, M. Owa, and M. Yamadaya Applied Power Electronics Conference (APEC 2017) 267-272 2017/03/30

研究発表

  1. 口頭発表(一般) パワーデバイスの積層実装の熱解析 第25回電気学会東京支部静岡東部・山梨支所研究発表会 2018/11/27
  2. その他 山梨大学パワー半導体研究室 SEMICON Japan 2017 2017/12/13 当方で開発したSi,SiCなどのパワーデバイスの概要を紹介した。
  3. 口頭発表(一般) SiC-MOSFETのヒステリシス特性 電気学会東京支部山梨支所・静岡東部支所研究発表会 2017/11/14 SiC-MOSFETのしきい電圧のヒステリシス特性について実験的に評価しMOS/SiC界面準位と関連づけた
  4. シンポジウム・ワークショップ パネル(指名) 車載向け低帰還容量 SiCJFET の提案と高 動作の検討 第 79 回半 導体・集積回路技術シンポジウム 2015
  5. 口頭発表(一般) SiC-BGSITカスコード接続 電気学会 電子デバイス・半導体電力変換合同研究会 2015/10/30

学外あるいは所属学部等外の組織との共同研究

  1. 2012/05/30-2020/03/31 産業技術総合研究所 代表 シリコンカーバイド静電誘導型トランジスタの性能向上に関する研究

指導実績

  1. 博士学位論文指導 2017 1 パワー半導体の動作原理に関する研究テーマを指導した。
  2. 修士学位論文指導 2017 3 1 パワー半導体デバイスの設計、試作、動作原理に関する研究テーマを指導
  3. 学部卒業論文指導 2017 4 0 1 パワー半導体の設計、動作原理に関する卒業論文テーマの指導を行った。

所属学協会

  1. IEEE
  2. 電気学会
  3. 応用物理学会