山梨大学
大学院 総合研究部 工学域
物質科学系(クリスタル科学研究センター)

顔写真
准教授

有元 圭介

アリモト ケイスケ
Arimoto Keisuke

経歴

  1. 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 社員 1999/04/01
  2. コーニング・ジャパン株式会社 研究員 2000/10/01
  3. 東京大学 技術補佐員 2002/01/01
  4. 山梨大学 助手 2002/03/01
  5. 山梨大学医学工学総合研究部 准教授 2011/04/01

学歴

  1. 東京大学 1997/03/01
  2. 東京大学 1999/03/01
  3. 山梨大学 2009/09/30

学位

  1. 博士(工学) 山梨大学 2009/09/29

研究分野

  1. 応用物性・結晶工学

研究キーワード

  1. シリコンゲルマニウム

研究テーマ

  1. SiGeの電気伝導特性
  2. 歪みの制御によるエネルギーバンド構造の変調
  3. 多結晶SiGe薄膜の形成とその応用

論文

  1. 研究論文(学術雑誌) 共著 Fabrication of high-quality strain relaxed SiGe(110) films by controlling defects via ion implantation M. Kato, K. Arimoto, J. Yamanaka, K. Nakagawa, K. Sawano Journal of Crystal Growth 2017 0022-0248
  2. 研究論文(学術雑誌) 共著 Thermal stability of compressively strained Si/relaxed Si1-xCx heterostructures formed on Ar ion implanted Si(100) substrates You Arisawa, Yusuke Hoshi, Kentarou Sawano, Junji Yamanaka, Keisuke Arimoto, Chiaya Yamamoto, Noritaka Usami Materials Science in Semiconductor Processing 2017 1369-8001
  3. 研究論文(学術雑誌) 共著 Fabrication of BaSi2 thin films capped with amorphous Si using a single evaporation source Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami Thin Solid Films 636, 546-551 2017/08/31 0040-6090
  4. 研究論文(学術雑誌) 共著 Hole mobility in strained Si/SiGe/vicinal Si(110) grown by gas source MBE Keisuke Arimoto, Sosuke Yagi, Junji Yamanaka, Kosuke O. Hara, Kentarou Sawano, Noritaka Usami, Kiyokazu Nakagawa Journal of Crystal Growth 468, 625-629 2017/06/15 0022-0248
  5. 研究論文(学術雑誌) 共著 Post-annealing effects on the surface structure and carrier lifetime of evaporated BaSi2 films Kosuke O. Hara, Cham Thi Trinh, Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Arimoto, Junji Yamanaka, Kiyokazu Nakagawa, Noritaka Usami JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 56, 04CS07 2017/03/06 0021-4922

研究発表

  1. 口頭発表(一般) BaSi2蒸着膜中の酸素不純物に関する調査 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017/03/16
  2. ポスター発表 GaNパワートランジスタのためのゲートSiO2膜形成技術の開発 第64回応用物理学会春季学術講演会 2017/03/15
  3. 口頭発表(一般) STEM Moiré Observation of Lattice-Relaxed Germanium Grown on Silicon The 3rd Int’l Conference on Thin Film Technology and Applications (TFTA2017) 2017/01/03
  4. 口頭発表(招待・特別) Close relationship between electrical properties and microstructure of semiconducting BaSi2 films 2016 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2016) 2016/12
  5. 口頭発表(招待・特別) Growth of (110)-Oriented SiGe-Based Heterostructures for High Hole Mobility Devices 2016 Global Research Efforts on Energy and Nanomaterials (GREEN 2016) 2016/12/24

上記以外の発表の総数

  1. 2015 8 0 8
  2. 2014 9 0 9
  3. 2013 12 2 10
  4. 2012 6 0 6
  5. 2011 13 0 13

知的財産権

  1. 電界効果トランジスタおよびその製造方法 特願2004-162677 2004/06/01

学外あるいは所属学部等外の組織との共同研究

  1. 2014/04/01-2015/03/31 東北大学金属材料研究所 代表 東北大学金属材料研究所 試料作製、評価、総括
  2. 2013/04/01-2014/03/31 東北大学金属材料研究所 代表 Si1-xCx/Siヘテロ構造の形成における格子間炭素組成の低減による高正孔移動度化
  3. 2012/04/01-2013/03/31 東北大学金属材料研究所 代表 歪みSi/Si1-xCxヘテロ構造における欠陥形成過程の解明と高品質膜形成プロセスの開発
  4. 2011/04/01-2012/03/31 東北大学金属材料研究所 代表 歪みSi/Si1-xCxヘテロ構造の応力制御
  5. 2010/04/01-2011/03/31 東北大学金属材料研究所 代表 シリコン・カーボン混晶薄膜の電気伝導特性に関する研究

担当授業科目

  1. 応用工学実験I
  2. 応用工学実験II

所属学協会

  1. 応用物理学会